高性能钙钛矿半导体光电器件

报告题目：高性能钙钛矿半导体光电器件

报告人：游经碧研究员  中国科学院半导体研究所

报告时间：2022年 03月 01 日　下午 10:00-11:30

报告地点：腾讯会议：995-830-329，会议密码：1234

报告人简介：游经碧，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，国家杰出青年科学基金及中国科学院青年科学家奖获得者。2005年于湖北大学电子科学技术系获学士学位，2010年在中国科学院半导体研究所获博士学位，2010-2015年在美国加州大学洛杉矶分校材料科学与工程系从事博士后研究。至今主持/负责包括国家重点研发计划项目、中国科学院创新交叉团队等项目。是中国可再生能源学会光伏专委会委员、《Photonic Research》期刊副主编以及中国物理学会四刊青年编委。近年来，发表学术论文100余篇，共被他引27000余次。

报告摘要：金属卤化物钙钛矿作为一类新型半导体光电材料，既具有无机半导体优异光电性能，又具备有机半导体可溶液法制备的优点，是当前半导体光电器件领域的研究前沿。近年来，钙钛矿光电器件转换效率取得了巨大的进展，钙钛矿电池光电转换效率已达到25.7%，可与传统电池媲美；基于钙钛矿的发光二极管的绿光、红光外量子效率已超过25%，并保持迅猛发展态势。本报告将介绍我们在钙钛矿电池和发光二极管两方面的研究工作，包括如何通过界面调控及半导体功能层设计等提高器件的转换效率和稳定性。 

参考文献：

[1] Z. Chu et al., Nature Communications, 11, 4165 (2020).

[2] Q. Jiang et al., Nature Energy, 2, 16177 (2016).

[3] Q. Jiang et al., Nature Photonics, 13, 460 (2019).

[4] P. Wang et al., Nature Communications, 9, 2225 (2018).

[5] Q. Ye et al., Advanced Materials, 31, 1905143 (2019).